Con el objetivo de situar a España en el epicentro de la industria de los semiconductores, surgen nuevas iniciativas prometedoras. Un ejemplo destacado es el plan DioSiC, bajo el liderazgo de las empresas Nanoker de Asturias, Hiperbaric de Burgos y Fagor Electrónica del PaÃs Vasco, enfocadas en la creación de chips de carburo de silicio avanzados. Además, la participación de España en la nueva lÃnea piloto europea busca liderar la integración y encapsulado de componentes electrónicos.
El Instituto de Microelectrónica de Barcelona del CSIC (IMB-CNM-CSIC) se erige como el representante español clave en este ámbito, acumulando vasta experiencia en microelectrónica y técnicas de fabricación de circuitos integrados de vanguardia. Esta institución es parte del proyecto Innofab, que está cobrando vida tras la luz verde de los Gobiernos de España y la Generalitat a finales de 2023.
Innofab: Innovación en Circuitos Integrados para 2028
La fábrica Innofab, ubicada en Cerdanyola del Vallès, a escasa distancia de Barcelona, promete ser una instalación puntera en la producción de semiconductores. Con una inversión aproximada de 392 millones de euros, financiada por el plan Next Generation de la UE y los Gobiernos locales, la construcción de la planta está programada para iniciar operaciones en 2028.
El proyecto Innofab está liderado por el Instituto Catalán de Nanociencia y NanotecnologÃa y residirá muy cerca de la Universidad Autónoma de Barcelona y el sincrotrón Alba
Aunque la iniciativa genera expectativas positivas, cabe destacar dos aspectos cruciales: el presupuesto de 392 millones de euros es modesto en comparación con las grandes plantas de TSMC en Arizona o Intel en Magdeburgo, que rondan los 30.000 millones de euros. Por otro lado, la elección de Cerdanyola del Vallès como ubicación estratégica no es casual.
Liderado por el Instituto Catalán de Nanociencia y NanotecnologÃa, Innofab estará estratégicamente cerca de la Universidad Autónoma de Barcelona y el sincrotrón Alba. Su objetivo es el desarrollo de semiconductores de próxima generación, utilizando materiales avanzados como el grafeno, destacándose asà de los tradicionales semiconductores de silicio dominados por Asia y EEUU.
El sincrotrón Alba jugará un papel esencial en esta fábrica. Este acelerador de electrones circular permite el análisis a nivel atómico de distintos materiales y proteÃnas, y será clave para evaluar los materiales candidatos y las propiedades de los circuitos integrados de alto rendimiento de Innofab.
A modo de aclaración, Innofab no se centrará en la producción masiva de chips; su misión es la investigación y desarrollo de tecnologÃas avanzadas que otras fábricas explotarán comercialmente. Este enfoque justifica el presupuesto más contenido del proyecto, que sigue siendo uno de los más apasionantes a seguir en los próximos años.
Imagen | Abmartinezbonillo
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